C2 Design ApS † Opløst

Cambridge GaN Devices (

), en fabløs clean-tech halvledervirksomhed, der udvikler flere energieffektive GaN-baserede effektkomponenter for grønnere elektronik, som gør bæredygtig elektronik lettere af designe og implementere, fortæller nu, at Inventchip, en førende producent af SiC-effektkomponenter og IC-løsninger – med hovedkvarter i Shanghai – med succes har demonstreret et 2,5kW GaN-baseret CCM totempole PFC-referencedesign med brug af CGD’s ICeGaN® galliumnitrid-IC’er.

Cambridge GaN Devices (

) fortæller, at virksomhedens Henryk Dabrowski, der blev udnævnt til SVP for Globalt Salg i den innovative GaN IC-virksomhed sidste år, nu vil gå i front for CGD’s globale salgsstrategi og udvide den hidtidige succes gennem at tilføje flere muligheder for markedet i udnyttelsen af de fordelel, som ICeGaN-teknikken giver.

En ICeGaN’s HEMT-løsning, som den Cambridge GaN Devices (

) har udviklet, kan kontrolleres med alt mellem 9 og 20V, så 15V er præcis i ICeGaN’a sweet-spot.

Cambridge GaN Devices (

) og Qorvo er gået i samarbejde om at samle branchens førende motorstyring og effektoptimale teknologier i et PAC5556A + ICeGaN® evaluerings-kit (EVK).

Cambridge GaN Devices (

) lancerer nu komponenter med den laveste on-modstand (RDS(on)) nogensinde.

Tidligere har hun undervist på American University of Iraq, Sulaimani (AUIS), samt været gæsteforsker ved deres

(Center for Gender and Development).

Cambridge GaN Devices (

), en fabløs clean-tech halvledervirksomhed, der udvikler flere energieffektive GaN-baserede effektkomponenter for grønnere elektronik, imødekommer nu behovet for endnu højere effekter i industrielle applikationer med sin ICeGaN™ teknologi, der allerede har bevist sin funktion som robust, pålidelig og letanvendelig i højvolumen forbrugerprodukter.

Det gør ikke bare

I stand til at scanne kapslede komponenter for identifikation af såvel kredsløb som batch, men kan også præcist fortælle, hvor komponenten var på waferen under fremstilling.

For nyligt lancerede

sin 650V H2-serie i ICeGaN galliumnitrid HEMT-familien.

Nem test af innovative GaN-effektløsninger fra

med Application Interface Boards.

–

har løst alle de udfordringer, der normalt forsinker accepten af nye teknologier.

Zahid Ansari | VP Operations,

:

vil også blive præsenteret inklusive virksomhedens ICeGaN™ serie – der er branchens første let anvendelige og skalérbare 650V GaN HEMT-familie.

På stand C3.535 vil

fremvsie branchens første let anvendelige og skalérbare 650V GaN HEMT-familie.

Det viser en ny rapport fra tænketanken Center for Global Development (

) i samarbejde med flygtningeorganisationerne Refugees International og Asylum Access.

har ikke meldt ud, om dommen appelleres, men foreløbig er Maya Forstater renset.